Samsung memulai produksi DRAM DDR5 berbasis 12nm EUV

Samsung telah mengumumkan bahwa mereka telah memulai produksi massal DRAM DDR5 12 nm berbasis multi-layer ultra-ultraviolet (EUV).

Samsung baru-baru ini mengumumkan bahwa mereka telah memulai produksi massal DRAM DDR5 16-gigabit (Gb). Perangkat keras tersebut dikatakan menggunakan teknologi proses 12 nanometer (nm) kelas satu di industri. Pencapaian ini muncul setelah pengumuman pertama dilakukan pada Desember tahun lalu.

Proses produksi menggabungkan litografi ultra-ultraviolet ekstrim (EUV) multi-lapisan canggih, yang dikatakan menghasilkan kerapatan cetak tertinggi di industri. Dengan demikian, teknologi ini menghasilkan peningkatan produktivitas wafer sebesar 20%.

Selain itu, DRAM DDR5 ini menunjukkan pengurangan konsumsi daya yang signifikan hingga 23% jika dibandingkan dengan generasi sebelumnya. Samsung mengklaim ini membuat solusi mereka lebih cocok untuk perusahaan TI global yang ingin meningkatkan operasi ramah lingkungan.

Penggunaan bahan high-k baru membantu meningkatkan kapasitas sel. Peningkatan kapasitansi membuat perbedaan potensial listrik yang signifikan dalam sinyal data, yang memfasilitasi pembedaan yang lebih akurat di antara keduanya.

Dilansir dari Gizmochina (19/5), DRAM DDR5 memberikan kecepatan 7,2 gigabit per detik (Gbps). Dengan kata lain, ini dapat memproses dua film ultra-high-definition 30-gigabyte (GB) hanya dalam satu detik. Kecepatan luar biasa ini memposisikan teknologi untuk mendukung berbagai aplikasi yang berkembang, termasuk pusat data, kecerdasan buatan (AI), dan komputasi generasi berikutnya.

Samsung menyelesaikan pengujian DRAM DDR5 16-gigabit untuk kompatibilitas dengan AMD pada Desember tahun lalu dan terus bekerja sama dengan perusahaan IT global untuk mendorong inovasi di pasar DRAM generasi mendatang.